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Silicon carbide: A wide-bandgap semiconductor and beyond
Wang, Gang1; Wang, Wenjun1; Peng, Tonghua2; Guo, Liwei1; Chen, Xiaolong1
2018-05-11
发表期刊SCIENCE
ISSN0036-8075
EISSN1095-9203
出版年2018
卷号360期号:6389页码:51-54
文章类型Editorial Material
语种英语
国家Peoples R China
领域地球科学 ; 气候变化 ; 资源环境
收录类别SCI-E
WOS记录号WOS:000439081200016
WOS关键词GROWTH ; FERROMAGNETISM
WOS类目Multidisciplinary Sciences
WOS研究方向Science & Technology - Other Topics
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://119.78.100.173/C666/handle/2XK7JSWQ/198658
专题地球科学
资源环境科学
气候变化
作者单位1.Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing, Peoples R China;
2.TankeBlue Semicond Co Ltd, Beijing, Peoples R China
推荐引用方式
GB/T 7714
Wang, Gang,Wang, Wenjun,Peng, Tonghua,et al. Silicon carbide: A wide-bandgap semiconductor and beyond[J]. SCIENCE,2018,360(6389):51-54.
APA Wang, Gang,Wang, Wenjun,Peng, Tonghua,Guo, Liwei,&Chen, Xiaolong.(2018).Silicon carbide: A wide-bandgap semiconductor and beyond.SCIENCE,360(6389),51-54.
MLA Wang, Gang,et al."Silicon carbide: A wide-bandgap semiconductor and beyond".SCIENCE 360.6389(2018):51-54.
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