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Silicon carbide: A wide-bandgap semiconductor and beyond | |
Wang, Gang1; Wang, Wenjun1; Peng, Tonghua2; Guo, Liwei1; Chen, Xiaolong1 | |
2018-05-11 | |
发表期刊 | SCIENCE |
ISSN | 0036-8075 |
EISSN | 1095-9203 |
出版年 | 2018 |
卷号 | 360期号:6389页码:51-54 |
文章类型 | Editorial Material |
语种 | 英语 |
国家 | Peoples R China |
领域 | 地球科学 ; 气候变化 ; 资源环境 |
收录类别 | SCI-E |
WOS记录号 | WOS:000439081200016 |
WOS关键词 | GROWTH ; FERROMAGNETISM |
WOS类目 | Multidisciplinary Sciences |
WOS研究方向 | Science & Technology - Other Topics |
引用统计 | |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://119.78.100.173/C666/handle/2XK7JSWQ/198658 |
专题 | 地球科学 资源环境科学 气候变化 |
作者单位 | 1.Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing, Peoples R China; 2.TankeBlue Semicond Co Ltd, Beijing, Peoples R China |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, Gang,Wang, Wenjun,Peng, Tonghua,et al. Silicon carbide: A wide-bandgap semiconductor and beyond[J]. SCIENCE,2018,360(6389):51-54. |
APA | Wang, Gang,Wang, Wenjun,Peng, Tonghua,Guo, Liwei,&Chen, Xiaolong.(2018).Silicon carbide: A wide-bandgap semiconductor and beyond.SCIENCE,360(6389),51-54. |
MLA | Wang, Gang,et al."Silicon carbide: A wide-bandgap semiconductor and beyond".SCIENCE 360.6389(2018):51-54. |
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